近日，JINR(联合核子研究所)中子物理实验室传来喜讯，该实验室员工Yuri Nikitenko、Evgeny Kolupaev和Valery Zhuravlev共同成为一项关于在环形中子储存环中脉冲注入和锁定中子方法的专利作者。

该发明聚焦于提升封闭空间内中子密度与停留时间的技术手段。具体而言，在通过脉冲源向注入区域注入中子的过程中，利用电磁铁在储存装置侧壁生成磁场。

当中子成功被锁定于储存装置内部时，于中子源脉冲间隔时段移除磁场。电磁铁的布置方式经过精心设计，使得储存装置侧壁的入口部分恰好处于电磁铁极点之间。这一技术设计带来的显著成果是中子通量密度的有效提升。

此次专利的获得，不仅体现了JINR中子物理实验室团队在相关领域的技术创新能力，也为中子物理研究及相关应用领域的技术发展提供了新的思路与方法。