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抗辐射半导体技术新闻
近日，韩国原子能研究院先进放射线研究院与浦项技术大学联合宣布，在抗辐射半导体技术方面取得重要突破。双方合作开发出一种新技术，可使半导体抵抗宇宙射线中80%以上的质子辐射，为下一代空间半导体的研制提供了有力支持。据悉，该技术的核心在于利用原子层沉积法在氧化锌(ZnO)基纳米半导体表面沉积了一层10纳米(nm)厚的氧化铝(Al?O?)钝化层。这一钝化层在物理上将半导体表面与外界隔离，有效阻挡了大气中的水和氧气，从而大幅抑制了质子引起...
2025-03-06
